1 . 最近我国科研人员成功攻克了5G通信芯片制造中关键材料氮化镓(GaN)的研制难题。已知元素镓(Ga)与Al、N与As分别是同主族的元素，请回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]______。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga______(填“大于”或“小于”，下同)As；
(3)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝在绝缘材料中应用广泛，氮化铝晶体与金刚石类似，每个铝原子与______个氮原子相连，氮化铝晶体属于______晶体。
(4)NH₃是氮的氢化物，中心原子的杂化方式是______，NH₃的沸点比AsH₃高的原因是______。
(5)共价晶体GaAs的晶胞参数y=xpm，它的晶胞结构如下图所示，该晶胞内部存在的共价键数为______；紧邻的As原子之间的距离为a，紧邻的As、Ga原子之间的距离为b，则=______。该晶胞的密度为______g·cm^-3(阿伏伽德罗常数用N_A表示)。

2 . 碳、硫、氧、氮是中学常见元素，下列说法不正确的是

A．、、都是直线形分子

B．、、的键角依次减小

C．、分子的中心原子都是化

D．C、N、F元素的电负性依次增大

4 . 铜及其化合物在日常生产、生活中有着广泛的应用。回答下列问题：
(1)基态Cu原子价电子排布式为_______。
(2)K与Cu同周期，最外层电子数相同，但Cu的熔点远高于K，因为_______。
(3)含铜废液可以利用铜萃取剂M，通过如下反应实现铜离子的富集，进行回收。

①M所含元素的电负性由大到小顺序是_______(用元素符号表示)。
②X化合物中中心原子铜的配位数是_______，上述反应中断裂和生成的化学键有_______(填字母序号)。
a.离子键       b.共价键       c.金属键       d.氢键       e.配位键
(4)高温下，比CuO稳定的原因是_______。
(5)离子型配合物中，阴离子的空间构型为_______，配体中碳原子的杂化方式是_______。
(6)由Cu，Sb，Se组成的热电材料，其晶胞结构如图所示，，，该晶体的密度是_______(列式即可)

5 . 过渡元素中，Ti被誉为“未来金属”、“战略金属”，其具有稳定的化学性质。回答下列问题：
(1)基态钛原子的电子排布式为_______。
(2)Ti可形成多种配合物。、、的配体所含原子中电负性由大到小的顺序是_______(写元素符号)；CO作配体时，配位原子是C而不是O，其原因是_______；中_______(填“大于”、“小于”或“等于”)单个水分子中。
(3)是氧化法制取钛的中间产物。的分子结构与相同，二者在常温下都是液体。分子的空间构型是_______，其中Ti原子采取_______杂化。
(4)如图为四方晶系的晶体结构：

●表示_______原子(填元素符号)，晶胞参数，底面边长为，高为，设阿伏加德罗常数的值为，的密度为，则m的表达式为_______pm(列出计算式)。

6 . 非金属硼化物在现代工农业、医学和国防中有着重要的应用价值。回答下列问题：
(1)氨硼烷()是目前最具潜力的储氢材料之一、氨硼烷分子中与N相连的H呈正电性，与B原子相连的H呈负电性，它们之间存在静电相互吸引作用，称为双氢键，用“N—H…H—B”表示。以下物质之间可能形成双氢键的是___________(填序号)。

A．和

B．LiH和HCN

C．和

D．和

(2)氮杂氟硼二吡咯具有作为光动力学治疗(PDT)光敏剂的潜能，结构如图所示，分子内含有一个大Π键，大Π键可用符号表示，其中m代表参与形成大Π键的原子数，n代表参与形成大Π键的电子数(如苯分子中的大Π键可表示为)、该大Π键的表示形式为___________，该分子中所有元素的电负性由大到小的顺序为___________。

(3)硼氢化钠()是一种常用的还原剂，其晶胞结构如图所示：

①的配位数是___________。
②以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子坐标参数，其中原子坐标参数“1”为；“2”为；标注为“3”的坐标参数为___________。
③已知硼氢化钠晶体的密度为，代表阿伏加德罗常数的值，则与之间的最近距离为___________nm(用含ρ、的代数式表示)。
④若硼氢化钠晶胞上、下底心处的被取代，得到晶体的化学式为___________。

7 . Ⅰ．尿素[CO(NH₂)₂]是人工合成的第一种有机物，可用于制有机铁肥，主要代表有[Fe(H₂NCONH₂)₆](NO₃)₃。

(1)[Fe(H₂NCONH₂)₆](NO₃)₃中所含元素的电负性由大到小的顺序是______________。
(2)尿素中______________(填“>”“=”“<”)，理由是______________。
(3)[Fe(H₂NCONH₂)₆](NO₃)₃中不存在的化学键____________(填序号)。
A.离子键        B．金属键        C．配位键        D．键        E．键
Ⅱ．是一种贮氢的金属氢化物，可通过氢化镁和镍单质球磨制成。晶胞形状为如图立方体，边长为，原子占据顶点和面心，处于八个小立方体的体心。

(4)原子的价电子排布式为______________。
(5)位于原子形成的______________(填“八面体空隙”或“四面体空隙”)。
(6)该晶体的密度为___________(用含a、代数式表示)。

8 . 钛和锆为同族的元素，它们形成的化合物用途广泛。
(1)锆为第五周期元素，基态原子的价层电子排布式为_______。
(2)钛与EDTA(乙二胺四乙酸根离子，结构如图1)形成的配位离子如图2所示。

①EDTA中所含元素的电负性从大到小的顺序为_______；
②EDTA中键角∠NCC_______(填“＞”、“＜”或“=”)∠CNC；
③钛与EDTA形成的配位离子中配位数为_______。
(3)常温下TiCl₄为液体，ZrCl₄为易升华的固体。两者熔点不同的原因是_______。
(4)ZrO₂是制作全瓷牙的主要原料。ZrO₂的晶体有立方晶相(如图3)、单斜晶相(如图4，微粒未画出，微粒分布与立方晶相相似，晶胞参数α=γ=90⁰≠β，apm、bpm、cpm)等。

①ZrO₂立方晶相中，与Zr等距离且最近的O围成的几何图形是_______。
②设阿伏加德罗常数的值为N_A，则单斜晶相ZrO₂的密度为_______g·cm^-3(列出含字母的计算表达式)。

9 . 锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：
(1)基态Ge原子的核外电子排布式为_______，最高能级电子的电子云轮廓形状为_______。
(2)比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化的原因_______。

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔点/℃	−49.5	26	146
沸点/℃	83.1	186	约400

(3)光催化还原CO₂制备CH₄反应中，带状纳米Zn₂GeO₄是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是_______。
(4)Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为_______，微粒之间存在的作用力是_______。
(5)晶胞有两个基本要素：
①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置，下图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为(0，0，0)；B为(，0，)；C为(，0)。则D原子的坐标参数为_______。

②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状。已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76pm，其密度为_______g·cm^-3(列出计算式即可)。

10 . 用“>”、“<”、“=”填空
(1)第一电离能：P_______S；
(2)酸性：H₃PO₄ _______ H₂SO₄；
(3)稳定性：H₂O_______H₂S
(4)微粒半径：S_______S^2-
(5)碱性：KOH_______NaOH
(6)元素的电负性：S_______Cl。