【推荐1】有A、D、E、G、M、L六种前四周期的元素。A是宇宙中最丰富的元素。D原子核外有1个未成对电子，D^＋比E原子少1个电子层，E原子得1个电子填入3p轨道后，3p轨道呈全充满状态。G原子的2p轨道有2个未成对电子，M的最高化合价和最低化合价的代数和为4，与G原子序数相差8。L位于周期表第12纵行且是六种元素中原子序数最大的。R是由M、L形成的化合物，其晶胞结构如下图所示。

   

请回答下列问题：
(1)E元素的电负性________(填“>”“<”或“＝”)M元素的电负性。
(2)G的第一电离能比它同周期前一族相邻元素的第一电离能________(填“大”或“小”)。
(3)M₂E₂广泛用于橡胶工业，在该化合物分子中，所有原子最外层均满足8电子稳定结构。则在M₂E₂分子中M原子的杂化类型是___，M₂E₂是____(填“极性”或“非极性”)分子。
(4)L的价电子排布式为________，该元素位于周期表中的________族。
(5)R的化学式为____________(用元素符号表示)，属于________晶体。已知R晶体的密度为ρg·cm^－3，则该晶胞的边长a________cm。(阿伏伽德常数用N_A表示)

【推荐2】砷(As)在地壳中含量不大，但砷的化合物却是丰富多彩。
(1)基态砷原子的电子排布式为_________；砷与溴的第一电离能较大的是_________。
(2)AsH₃是无色稍有大蒜味气体。AsH₃的沸点高于PH₃，其主要原因是_________。
(3)Na₃AsO₄可作杀虫剂。AsO₄^3-的空间构型为_________，与其互为等电子体的一种分子为__________。

(4)某砷的氧化物俗称“砒霜”，其分子结构如右图所示。该化合物的分子式为_________，As原子采取___________杂化。
(5)GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似。GaAs晶体中，每个As与_______个Ga相连，As与Ga之间存在的化学键有________(填字母)。
A．离子键   B．σ键   C．π键   D．氢键   E．配位键   F．金属键   G．极性键

【推荐3】利用水热和有机溶剂等软化学方法，可合成出含有有机杂化锌、锗以及砷等金属的硒化物，且该硒化物具有离子交换、催化、吸附、半导体等性能，显示出良好的应用前景。回答下列问题：
（1）锌基态原子核外电子排布式为_________。元素锗与砷中，第一电离能较大的是_________（填元素符号，下同），基态原子核外未成对电子数较少的是_______________。
（2）H₂SeO₃分子中Se原子的杂化形式为____________，H₂SeO₄的酸性比H₂SeO₃强，原因是_________。
（3）气态SeO₃分子的立体构型为____________，与SeO₃互为等电子体的一种离子为_______（填离子符号）。
（4）硒化锌是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图所示，该晶胞中硒原子的配位数为____________，若该晶胞密度为ρg·cm^-3，硒化锌的摩尔质量为Mg·mol^-1。用N_A代表阿伏伽德罗常数的数值，则晶胞参数ɑ为____________nm。

【推荐1】臭氧()在催化下可以将烟气中的、分别氧化为和，也可以在其他条件下被还原为。回答下列问题：
(1)中心原子轨道的杂化类型为_______，的晶体类型为_______晶体。
(2)基态核外电子排布式为_______。
(3)N、H、O三种元素的电负性由小到大的顺序为_______。
(4)的沸点高于，这是因为_______。
(5)分子中键与键的数目之比为_______。

【推荐3】硅和卤素单质反应可以得到SiX_4。
SX₄的熔沸点

	SiF4	SiCl4	SiBr4	SiI4
熔点/K	183.0	203.2	278.6	393.7
沸点/K	187.2	330.8	427.2	560.7

①0℃时，SiF₄、SiCl₄、SiBr₄、SiI₄呈液态的是___________(填化学式)，沸点依次升高的原因是___________，气态SiX₄分子的空间构型是___________；
②SiCl₄与N﹣甲基咪唑   反应可以得到M²⁺，其结构如图所示：
   
N－甲基咪唑分子中碳原子的杂化轨道类型为___________，H、C、N的电负性由大到小的顺序为___________，1个M²⁺中含有___________个σ键；

【推荐1】(1)C、N、O元素的第一电离能大小为：_________。
(2)Cu的价电子排布式为______，基态Fe原子有_____个未成对电子,Fe³⁺的价电子排布图为________。
(3)基态硫原子中，核外占据最高能级电子的电子云轮廓图形状为_________。硫的一种同素异形体分子式为S₈，其结构如图所示，其中S原子的杂化轨道类型为______。S₈易溶于二硫化碳的原因是_________。
   
(4)教材插图具有简洁而又内涵丰富的特点。请回答以下问题：
   
(a)第三周期的某主族元素，其第一至第五电离能数据如图1所示，则该元素对应的原子有_____种不同运动状态的电子。
(b)CO₂在高温高压下所形成的晶体其晶胞如图3所示。则该晶体的类型属于______晶体。
(c)如图2所示，每条折线表示周期表ⅣA到ⅦA 中的某一族元素氢化物的沸点变化。每个小黑点代表一种氢化物，其中a点代表的是___。判断依据____。

【推荐2】原子序数依次增大的A、B、C、D、E、F六种元素。其中A的基态原子有3个不同的能级，各能级中的电子数相等；C的基态原子2p能级上的未成对电子数与A原子的相同；D为它所在周期中原子半径最大的主族元素；E和C位于同一主族，F的原子序数为24。
(1)F原子基态的价电子排布式为_______________。
(2)在A、B、C三种元素中，电负性由大到小的顺序是______>______>_____（用元素符号回答）。
(3)元素C的简单气态氢化物的沸点远高于元素E的简单气态氢化物的沸点，其主要原因是________________________。
（4）由A、B、C形成的离子CAB^－与AC₂互为等电子体，则CAB^－的空间构型为_____________。
（5）在元素A与E所形成的常见化合物中，A原子轨道的杂化类型为_______________。
（6）由B、C、D三种元素形成的化合物晶体的晶胞如图所示，则该化合物的化学式为________________________。

【推荐3】下表为元素周期表的一部分，请参照元素①~⑧在表中的位置，回答下列问题：

(1)元素⑧的基态原子价电子排布式为_______。
(2)元素②③④的第一电离能由大到小的顺序是_______(填元素符号)。
(3)元素③④⑤形成的简单离子半径由大到小的顺序为_______(用离子符号表示)。
(4)元素④⑥的简单气态氢化物更稳定的是_______，键角更大的是_______(填化学式)。
(5)元素③的最高价含氧酸根的中心原子杂化方式为_______，其空间结构为_______。
(6)由元素⑦⑧组成的化合物溶于水后溶液呈蓝色，滴加稀盐酸变成黄绿色，从平衡移动角度解释上述颜色变化过程：_______(用离子方程式表示)。

【推荐1】A～G是前四周期除稀有气体之外原子序数依次增大的七种元素。A与其他元素既不同周期又不同族；B、C的价电子层中未成对电子数都是2；E核外的s、p能级的电子总数相等；F与E同周期且第一电离能比E小；G的＋1价离子（G⁺）的各层电子全充满。回答下列问题：
（1）写出元素名称：B_______，G_______。
（2）写出F的价电子排布图：_______。
（3）写出化合物BC的结构式：__________________。
（4）由A、C、F三元素形成的离子[F(CA)₄]^— 是F在水溶液中的一种存在形式，其中F的杂化类型是________________。
（5）在测定A、D形成的化合物的相对分子质量时，实验测定值一般高于理论值的主要原因是______________________。
（6）E的一种晶体结构如图甲，则其一个晶胞中含有_______个E；G与D形成的化合物的晶胞结构如图乙，若晶体密度为ag/cm³，则G与D最近的距离为____pm
（阿伏加德罗常数用N_A表示，列出计算表达式，不用化简；乙中○为G，●为D。）

【推荐2】芯片作为科技产业，以及信息化、数字化的基础，自诞生以来，就一直倍受关注，也一直蓬勃发展。芯片制造会经过六个最为关键的步骤；沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。
(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。
①镓为第四周期元素，基态Ga原子的核外电子排布为：___________；
②GaN、GaP、GaAs的结构类似于金刚石，熔点如表所示：试分析三者熔点变化的原因___________。

物质	GaN	GaP	GaAs
熔点/℃	1700	1480	1238

③将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料，晶体结构如甲图。

掺杂Mn之后，晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为___________。
(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶，结构如图乙所示，其S的杂化方式为___________。

(3)“刻蚀”过程可能用到刻蚀剂HF，及清洗剂，三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为___________，HF分子的极性___________(填“大于”“等于”或“小于”)HCl，1mol氟硼酸铵中含有___________mol配位键。
(4)LiF晶体结构属于氯化钠型。
①LiF的熔点和沸点比NaCl的高，请解释原因___________。
②LiF晶体的密度约为，LiF晶胞的体积约为___________cm³(计算结果保留一位有效数字)。