1 . GaN、AlN属于第三代半导体材料，二者成键结构与金刚石相似，晶体中只存在键、键。已知Ga与Al同主族，化学性质相似。从某金属废渣（主要含、）中提取镓并制备GaN的工艺流程如下：

下列说法错误的是

A．GaN的熔点高于AlN的熔点	B．“碱浸”时反应生成
C．“电解”中金属镓在阴极析出	D．制备GaN的反应中，作氧化剂

2 . 短周期主族元素X、Y、Z、R的原子序数依次增大，其最简单氢化物的沸点如图所示。X的简单氢化物的水溶液呈碱性，R元素M层电子数是K层电子数的2倍，制备Z的氢化物时不能选用玻璃容器，X、Y、Z的最简单氢化物分子所含的电子总数相等。下列叙述正确的是

A．电负性：Y>Z>X	B．常温常压下，呈固态
C．最高价氧化物对应水化物的酸性：Z>X	D．最简单氢化物的键角：Y>X>R

3 . 下列性质的比较，不正确的是

A．酸性：H2SO4＞H3PO4	B．熔点：金刚石＞碳化硅＞晶体硅
C．热稳定性：H2S＞H2O	D．第一电离能：S＜O

5 . 科学家利用原子序数依次递增的四种短周期元素W、X、Y和Z“组合”成一种超分子，具有高效的催化性能，其分子结构示意图如图所示。(注：实线代表共价键，Y与Y之间的其他重复单元的W、X未标注)，已知W、X，Z分别位于不同周期，Z的原子半径在同周期元素中最大。下列判断正确的是
   

A．Y、Z简单离子半径的大小：

B．X、Y简单气态氧化物的稳定性：X>Y

C．Y与Z形成的化合物中化学键类型相同

D．X元素和Z元素分别形成的单质的熔点可能是X>Z

6 . 砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，熔点为1238℃，用于制作太阳能电池的材料，其结构如图所示，其中以原子1为原点，原子2的坐标为(1，1，1)。下列有关说法中错误的是
   

A．原子3的坐标为(，，)	B．Ga的配位数为4
C．GaAs为共价晶体	D．若将Ga换成Al，则晶胞参数将变小

7 . 下列生产活动中，没有运用相应化学原理的是

选项	生产活动	化学原理
A	用金刚砂做砂轮切割钢板	金刚砂的熔点高
B	用海水制取溴和镁单质	可被氧化、可被还原
C	用氢氟酸蚀刻玻璃制作艺术品	氢氟酸与反应
D	用聚乳酸制作手术缝合线	聚乳酸可自行降解

A．A

B．B

C．C

D．D