1 . 已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期，N、X最外层电子数相同，Z原子序数大于X，其中Z的简单离子半径在同周期中最小，X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且做氧化剂，在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题：
(1)Y在周期表中的位置是_______，写出YM的电子式：_______。
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示)：_______。
(3)镓(₃₁Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料，具有耐高温、耐高电压等特性，随着5G技术的发展，它们的商用价值进入“快车道”。
①下列有关说法正确的是_______。
a．Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b．Ga为门捷列夫预言的“类铝”
c．Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d．酸性：
②废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解，放出气体，同时生成和，写出该反应的化学方程式为_______。
(4)是有机合成的重要还原剂，其合成路线如图所示。

利用遇水反应生成的氢气的体积测定样品纯度。
①其反应的化学方程式为_______。
②取样品a g，若实验测得氢气的体积为V mL(标准状态)，则样品纯度为_______(用代数式表示)。

2 . 已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期。N、X最外层电子数相同，2原子序数大于X，其中Z的简单离子半径在同周期中最小，X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且做氧化剂，在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题：
(1)Y在周期表中的位置是___________，写出YM的电子式：___________。
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示)：___________。
(3)镓()的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料，具有耐高温、耐高电压等特性，随着5G技术的发展，它们的商用价值进入“快车道”。下列有关说法正确的是___________(填字母)。
a．Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b．Ga为门捷列夫预言的“类铝”，氮化镓可用于制作电子产品的充电器
c．Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d．酸性：
(4)是有机合成的重要还原剂，其合成路线如图所示。

利用遇水反应生成的氢气的体积测定样品纯度。
①其反应的化学方程式为___________。
②现设计如图四种装置测定样品的纯度(假设杂质不参与反应)。

从简约性、准确性考虑，最适宜的方案是___________(填编号)。
③取样品ag，若实验测得氢气的体积为VmL(标准状态)，则样品纯度为___________(用代数式表示)。

5 . 已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期，N、X最外层电子数相同，Z原子序数大于X，其中Z的简单离子半径在同周期中最小，X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且做氧化剂，在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题：
(1)Y在周期表中的位置是_____；N的简单离子的核外电子排布示意图为_____。
(2)用电子式表示化合物YN的形成过程：_____。
(3)在YZO₂与YX的混合液中，通入足量CO₂，是工业制取Y₃ZX₆的一种方法，写出该反应的化学方程式：_____。
(4)镓(₃₁Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料，具有耐高温耐高电压等特性，随着5G技术的发展，它们的商用价值进入“快车道”。
①下列有关说法正确的是_____(填字母)。
a.Ga位于元素周期表第四周期IVA族
b.Ga为门捷列夫预言的“类铝”
c.Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
②废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解，放出NO₂气体，同时生成H₃AsO₄和Ga(NO₃)₃，写出该反应的化学方程式：_____。
(5)YZM₄是有机合成的重要还原剂，其合成路线如图所示。

特定条件利用YZM₄遇水反应生成的氢气的体积测定YZM₄样品纯度。
①YZM₄遇水反应的化学方程式为_____。
②现设计如图四种装置测定YZM₄样品的纯度(假设杂质不参与反应)。

从简约性、准确性考虑，最适宜的方案是_____(填编号)。
③取样品ag，若实验测得氢气的体积为VmL(标准状态)，则YZM₄样品纯度为_____(用代数式表示)。

7 . 如图为元素周期表的一部分，请根据元素①~⑧在表中的位置，回答下列问题：

(1)请写出元素⑦在元素周期表中的位置___________。在上述元素的最高价氧化物对应的水化物中，酸性最强的是___________(用化学式表示)。
(2)由元素①、④、⑤形成的化合物的电子式为___________，该物质属于___________(填“离子”或“共价”)化合物。
(3)③、④、⑤、⑥的简单离子半径由大到小的顺序是___________(用离子符号表示)。
(4)在发生地震后，地震灾区需要大量的“84消毒液”来消毒杀菌。84消毒液(主要成分为NaClO)和洁厕灵(主要成分为盐酸)混合使用会产生一种有毒气体，写出两者混合时发生反应的离子方程式：___________。
(5)由表中元素形成的常见无机化合物A、B、C、X有以下转化关系：

若A、B、C含同一金属元素，X为电解质溶液，可电离出，所有反应都在溶液中进行。B的化学式为___________，X的化学式为___________。

9 . 六氟锑酸钠()是一种新开发的锑的精细化工产品，主要用于有机合成、光化学反应、半导体刻蚀等。中南大学的杨天足教授提出了一种水溶液中由锑白(主要含、和、、CuO等)合成六氟锑酸钠的工艺流程如图所示：

已知：①的性质与类似；②可溶于溶液；③晶体难溶于水。请回答下列问题：
(1)在元素周期表中的位置是___________，属于___________区元素。
(2)“碱浸、还原”时，发生反应的离子方程式为___________；若与反应计量关系为，则氧化物为___________。
(3)“除杂”时，当溶液中出现蓝色沉淀，立即停止加入溶液，测得此时溶液的，则此时溶液中残留的___________[结果保留两位有效数字，常温下，，]。
(4)“转化”时控温约80℃的原因是___________。
(5)“氟化”中发生的反应化学方程式为___________。
(6)氟锑酸化学式为，酸性比纯硫酸要强倍，称为超强酸，其与HF作用生成，离子的空间构型为___________。

10 . 已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期，N、X最外层电子数相同，Z原子序数大于X，其中Z的简单离子半径在同周期中最小，X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且做氧化剂，在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题：
(1)Y在周期表中的位置是_______，写出YM的电子式：_______。
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示)：_______。
(3)在与YX的混合液中，通入足量，是工业制取的一种方法，写出该反应的化学方程式：_______。
(4)镓(₃₁Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料，具有耐高温、耐高电压等特性，随着5G技术的发展，它们的商用价值进入“快车道”。
①下列有关说法正确的是_______。
a.Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b.Ga为门捷列夫预言的“类铝”
c.Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d.酸性：
②废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解，放出气体，同时生成和，写出该反应的化学方程式为_______。
(5)是有机合成的重要还原剂，其合成路线如图所示。

利用遇水反应生成的氢气的体积测定样品纯度。
①其反应的化学方程式为_______。
②取样品a g，若实验测得氢气的体积为V mL(标准状态)，则样品纯度为_______(用代数式表示)。