1 . 氮的化合物广泛应用于工业、航天、医药等领域。
(1)氨气可作为脱硝剂，在恒温恒容密闭容器中充入一定量的和。在一定条件下发生反应：。该反应已达到平衡状态的标志是_______。
a.12键断裂的同时生成5键
b.容器内
c.容器内的物质的量分数不再变化
d.混合气体的平均相对分子质量不再改变
(2)肼()是火箭推进器中常用的高能燃料，已知0.4液态肼和足量反应，生成和水蒸气，放出256.65的热量，请写出该反应的热化学方程式：_______。
(3)一定条件下，在5L密闭容器内，反应，的物质的量随时间变化如表：

时间/s	0	1	2	3	5	4
	0.040	0.020	0.010	0.005	0.005	0.005

①用表示0~2s内该反应的平均速率为_______，在第5s时，的转化率为_______。
②为加快反应速率，可以采取的措施是_______。
a.升高温度       b.恒容时充入       c.恒压时充入       d.恒容时充入
(4)已知：，不同温度(T)下，分解半衰期随起始压强的变化关系如图所示(图中半衰期指任一浓度消耗一半时所需的相应时间)，则_______(填“>”、“=”或“<")。当温度为T、起始压强为，反应至min时，此时体系压强_______(用表示)。

2 . LDFCB是电池的一种电解质，该电解质阴离子由同周期元素原子W、X、Z构成(如图)，Y的最外层电子数等于X的核外电子总数，四种原子最外层电子数之和为20，下列说法正确的是

A．X的杂化方式是

B．四种元素形成的简单氢化物中Z的沸点最高

C．对应简单离子半径：

D．元素Z的最高价氧化物的水化物为一元强酸

3 . 有A、B、C、D、E5种元素，它们的核电荷数依次增大，且都小于20.其中只有C、E是金属元素；A和E属同一族，它们原子的最外层电子排布为；B和D也属同一族，它们原子最外层的p能级电子数是最外层的s能级电子数的两倍；C基态原子占据两种形状的原子轨道，且两种形状轨道中的电子总数均相同。
请回答下列问题：
(1)C是_______(填元素名称)。
(2)上述元素中位于s区的有_______(填元素符号)。
(3)与互为等电子体的阴离子为_______。
(4)已知C的氧化物CO与NiO的晶体结构相同，其中和的离子半径分别为66pm和69pm，则熔点：CO_____NiO(填“>”“＜”或“=”)。
(5)浸金时，作为配体可提供孤电子对与形成。中的配位原子为_____(填元素符号)，其位置在______(填“中心”或“端位”)，理由是______。

5 . 设为阿伏加德罗常数的值，下列说法不正确的是

A．1mol甲基()的电子数为9

B．60g 晶体中含Si-O键的数目为4

C．1mol 分子中，S原子的价层电子对数目为2

D．标准状况下，22.4L乙烷中含有的极性键的数目为6

6 . 下列有关化学用语表示正确的是

A．全氟丙烷的球棍模型：

B．基态溴原子的简化电子排布式：

C．乙烯的结构简式：

D．的电子式：

7 . 化学与生活紧密相关，下列说法错误的是

A．霓虹灯的发光原理与氢原子光谱形成的原理基本相同

B．碳纳米材料属于新型无机非金属材料，是一种新型化合物

C．羊毛织品水洗后变形，与蛋白质结构改变有关，即原先部位的氢键发生移动

D．壁虎的足与墙体之间的作用力，本质上是足上的细毛与墙体之间的范德华力

8 . 下列化学用语正确的是

A．乙烯分子的空间填充模型：

B．甲基的电子式：

C．聚丙烯的结构简式：

D．烷烃的通式：

10 . 近年来美国为了遏制中国发展，对我国发起了以封锁“芯片”为核心的全方位打压，此举激发了中国科技人员自研的决心。回答下列问题：
(1)我国现已能够拉制出直径为300mm、重达81kg的大直径硅单晶，晶体硅材料被大量用于电子产业。

①某同学画出基态Si原子的价层电子排布图：，该电子排布图违背_______。

②硅在一定条件下可以与反应生成，判断的沸点比的_______(填“高”或“低”)，理由_______。
(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝，是制造5G芯片的重要绝缘材料。氮化铝晶体与金刚石类似，每个铝原子与_______个氮原子相连，氮化铝晶体属于_______晶体。
(3)“遥遥领先”的华为芯片制造过程用了蚀刻技术。利用进行硅芯片蚀刻时的产物均为气体，在蚀刻物表面不留任何残留物。
①分子的空间构型为_______。
②的一种下游产品三聚氟氰(分子式为：)，分子结构中有类似苯环结构，所有原子均满足8电子结构。写出三聚氟氰的结构式_______。
(4)2022年10月宁波南大光电ArF光刻胶生产线正式投产，国内7nm芯片制造材料获得重大突破。一种聚碳酸酯胶的曝光分解原理如下：

①该聚碳酸酯中碳原子的杂化方式为_______。
②聚碳酸酯膜曝光后的产物加热可汽化或溶于水，加热汽化或溶于水克服的作用力有_______。
a．配位键       b．离子键       c．范德华力       d．氢键       e．共价键
(5)GaAs是一种制造芯片重要的半导体材料，晶胞结构如图1，将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料，如图2。

①已知图1中A原子的坐标为(0，0，0)，则B原子的分数坐标为_______。
②若GaAs晶体密度为，设为阿伏加德罗常数的值，则晶胞中两个As原子间的最小距离为_______cm(列出计算式即可)。
③稀磁性半导体材料中Mn、As的原子个数比为_______。