1 . 下列物质性质的比较，不正确的是

A．微粒的半径：Al3+<Cl-	B．元素的电负性：P<S<Cl
C．共价晶体的硬度：晶体硅>金刚石	D．离子晶体的熔点：NaCl>CsCl

2 . 下面排序不正确的是

A．晶体的熔点由高到低排列

B．硬度由大到小：金刚石碳化硅晶体硅

C．熔点由高到低：

D．熔点由高到低：

3 . CrSi、Ge—GaAs、ZnGeAs₂和碳化硅都是重要的半导体化合物，下列说法错误的是

A．基态铬原子的价电子排布式为3d54s1

B．Ge—GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能由大到小的顺序为As>Ga>Ge

C．ZnGeAs2中元素Zn、Ge、As的电负性由大到小的顺序为As>Ge>Zn

D．碳化硅属于原子晶体，其熔沸点均大于晶体硅

4 . 碳化硅(SiC)俗称金刚砂，与金刚石具有相似的晶体结构，硬度为9.5，熔点为2700℃，其晶胞结构如图所示。下列说法错误的是

A．SiC晶体中碳原子和硅原子均采用杂化

B．距离硅原子最近的硅原子数为12

C．金刚石的熔点低于2700℃

D．若晶胞参数为apm，则该晶体的密度为

5 . 开发新型储氢材料是氢能利用的重要研究方向。
(1)是一种储氢材料，可由和反应制得。
①基态原子Ti有_______种能量不同的电子，基态的未成对电子有_______个。
②由和构成，的立体构型是_______。
③Li、B、H元素的电负性由大到小排列顺序为_______。
(2)金属氢化物是具有良好发展前景的储氢材料。
①LiH中，离子半径_______(填“”、“”或：“”)。
②某储氢材料是短周期金属元素M的氢化物，M的部分电离能如下表所示：

	738	1451	7733	10540	13630

该储氢材料的化学式为，其晶胞结构如图所示。已知该晶体的密度，则该晶胞的体积为_______[用a、表示(为阿伏加德罗常数的值)]。

(3)氨硼烷与镧镍合金()都是优良的储氢材料。
①镧镍合金的晶胞结构示意图如下图所示(只有1个原子位于晶胞内部)，则_______。

②氦硼烷()在高温下释放氢后生成的立方氮化硼晶体，具有类似金刚石的结构，硬度略小于金刚石。则在下列各项中，立方氮化硼晶体不可用作_______(填字母)。
a.耐磨材料                 b.切削工具                    c.导电材料                  d.钻探钻头

6 . 镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料，应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题：
(1)硒常用作光敏材料，基态硒原子的核外电子排布式为_______；与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_______种；的空间构型是_______。
(2)水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位数是_______。硅与氢结合能形成一系列的二元化合物等，与氯、溴结合能形成，上述四种物质沸点由高到低顺序为_______，丁硅烯中键与键个数之比为_______。
(3)GaN、GaP、GaAs都是原子晶体，熔点如表所示，分析其熔点变化的原因_______。

	GaN	GaP	GaAs
熔点	1700℃	1480℃	1238℃

(4)GaN晶胞结构如图甲所示。已知六棱柱底边边长为，阿伏加德罗常数的值为。从GaN晶体中分割出的平行六面体如图乙，该平行六面体的高为，GaN晶体的密度为_______(用表示)。

7 . 下列有关金刚石晶体和二氧化硅晶体(如图所示)的叙述正确的是

A．金刚石晶体和二氧化硅晶体均属于原子晶体

B．金刚石晶胞中含有6个碳原子

C．晶体中所含共价键数目为(是阿伏加德罗常数的值)

D．金刚石晶体熔化时破坏共价键，二氧化硅晶体熔化时破坏分子间作用力

8 . 下列有关比较，正确的是

A．在水中的溶解度：	B．沸点：
C．熔点：晶体硅＞金刚石	D．键角：

9 . 回答下列问题。
(1)SO₂与O₃互为等电子体。SO₂的VSEPR模型名称是_____，与O₃分子互为等电子体的一种阴离子为(写化学式)______。
(2)氯化钠和氯化铯是两种不同类型的晶体结构。晶体结构不同的主要原因是______。
(3)SiO₂ 和GeO₂具有类似的晶体结构，其中熔点较高的是______(写化学式)，原因是_____。
(4)向盛有氯化银的试管中加入氨水，沉淀溶解。请写出反应的化学方程式：______。

10 . 下列物质之间的关系与微粒半径大小无关的是

A．熔点：	B．熔点：金刚石>硅单质
C．沸点：水晶>氯化锂	D．热分解所需温度：