2 . 离子液体M的结构如图所示，下列说法错误的是
   

A．电负性由大到小的顺序是F＞N＞B

B．阴离子的空间结构为正四面体形

C．M因含有机基团而使其熔点较低

D．M分子中C-C键的键能大于C-N键的键能

3 . 铜元素可形成多种重要化合物。回答下列问题:
(1)铜元素位于元素周期表中的_____区,其基态原子的价电子排布图为_________。
(2)往硫酸铜溶液中加入过量氨水,可形成[Cu(NH₃)₄]SO₄溶液,该溶液可用于溶解纤维素。
①[Cu(NH₃)₄]SO₄中阴离子的立体构型是__________。
②在[Cu(NH₃)₄]SO₄中,Cu²⁺与NH₃ 之间形成的化学键称为______，提供孤电子对的成键原子是_________。
③除硫元素外，[Cu(NH₃)₄]SO₄中所含元素的电负性由小到大的顺序为________。
④NF₃与NH₃ 的空间构型相同，中心原子的轨道杂化类型均为_________。但NF₃不易与Cu²⁺形成化学键，其原因是_______________。
(3)一种Hg-Ba-Cu-O高温超导材料的晶胞(长方体)如图所示。

①该物质的化学式为__________。
②已知该晶胞中两个Ba²⁺的间距为c pm.则距离Ba²⁺最近的Hg⁺数目为_____个，二者的最短距离为_______pm。(列出计算式即可，下同)
③设该物质的摩尔质量为M,阿伏伽德罗常数的值为NA，则该晶体的密度为______g·cm^-3。

4 . 镓与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol^-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镓____(填“大”或“小”)。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：_________。

镓的卤化物	GaCl3	GaBr3	GaI3
熔点/℃	77.75	122.3	211.5
沸点/℃	201.2	279	346

GaF₃的熔点超过1000℃，可能的原因是______。
(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为___，草酸根中碳原子的杂化方式为____。

(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm。该晶体的类型为_____，晶体的密度为____(设N_A为阿伏加 德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm⁻³。

5 . 脱羧反应是有机化学中的正要反应，如图为制备氰化物的脱羧反应。下列说法正确的是

A．电负性：S>O>N>C>H

B．分子的空间填充模型为

C．化合物分子中碳原子有2种杂化方式

D．化合物分子中有2个手性碳原子

7 . 锂电池中某阻燃剂的结构式如图所示，其中Y、Z、Q、W是原子序数依次增大的短周期主族元素，基态W原子核外能量不同的电子有3种，下列说法正确的是

A．电负性：	B．基态原子未成对电子数：
C．原子半径：	D．该化合物中各原子的最外层均满足8电子稳定结构