1 . 利用亚铜离子为模板合成的索烃结构如图．下列说法正确的是

A．基态价电子排布为，因此在酸性溶液中很稳定

B．基态原子第一电离能：

C．该索烃中碳原子和氮原子均为杂化

D．1mol该索烃中所含配位原子数目为

2 . 物质世界缤纷多彩，物质的性质与分子的结构紧密关联。回答下列问题：
I．非金属氟化物在生产、生活和科研中应用广泛。
(1)基态F原子核外电子的空间运动状态有____________种。
(2)O、F、Cl电负性由大到小的顺序为______________；OF₂的熔、沸点___________（填“高于”或“低于”）Cl₂O，原因是__________。
Ⅱ、过渡金属元素铬（Cr）是不锈钢的重要成分，在工农业生产和国防建设中有着广泛应。
(3)对于基态Cr原子，下列叙述正确的是_________（填标号）。
A．轨道处于半充满时体系总能量低，核外电子排布应为[Ar]3d⁴4s²
B．从空间角度看，4s轨道比3s轨道大，其空间包含了3s轨道
C．电负性比钾高，原子对键合电子的吸引力比钾大
(4)三价铬离子能形成多种配位化合物。中提供孤电子对形成配位键的原子是___________，中心离子的配位数为___________。
(5)中配体分子NH₃、H₂O
①键角：NH₃___________H₂O（填“>”或“<”）。
②NH₃极易溶于水，原因是____________。
(6)在金属材料中添加AlCr₂颗粒，可以增强材料的耐腐蚀性、硬度和机械性能。AlCr₂具有体心四方结构，如图所示，处于顶角位置的是____________原子。设Cr和Al原子半径分别为和，晶胞参数如图所示，已知：空间占有率=晶胞中原子总体积/晶胞体积，则金属原子空间占有率为________%（列出计算表达式）。

3 . 下列各种说法中错误的是

A．形成配位键的条件是一方有空轨道，一方有孤电子对

B．配位键是一种特殊的共价键

C．配位化合物中的配体可以是分子也可以是阴离子

D．配位键具有饱和性，没有方向性

4 . 晶体的立方晶胞如下图所示，晶胞参数为apm，若A点原子坐标为，B点原子坐标为，已知阿伏加德罗常数的值为，的摩尔质量为232g/mol。下列说法不正确的是

A．该晶体中与等距且紧邻的有8个

B．C点原子坐标为

C．该晶体的密度为

D．该晶体属于离子晶体

5 . 氨硼烷(NH₃BH₃)在一定条件下与水反应：，的结构如图所示，下列说法正确的是

A．NH3BH3分子中存在配位键，B原子提供孤电子对

B．1molNH3BH3发生反应时转移3mole-

C．反应产物中只含有离子键、配位键和非极性共价键

D．反应过程中B原子的杂化方式由sp2变为sp3

6 . 一种合金催化剂催化水解释氢的反应机理如图所示。下列说法正确的是

A．使用催化剂增大反应的活化能和反应速率

B．反应过程中B原子杂化方式不变

C．反应过程中无配位键断裂

D．若将换成，则有HD和生成

7 . 氮、磷、砷等元素的单质及其化合物在生产生活中应用广泛。回答下列问题：
(1)是一种优良的等离子蚀刻气体，在芯片制造、高能激光器方面有广泛应用，分子的空间构型为________．
(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝在绝缘材料中应用广泛，氮化铝晶体与金刚石类似，每个铝原子与_______个氮原子相连，氮化铝晶体属于__________晶体。
(3)M是氮杂氟硼二吡咯类物质，常用作光敏剂，其结构如图。

已知虚线框内五元环结构类似苯，存在五中心六电子离域大键，则虚线框中氮元素采用杂化方式为_______，M中存在的微粒间作用力有_______（填标号）。
A．共价键             B．离子键             C．氢键             D．配位键
(4)是一种重要的半导体材料，晶胞结构如图1；将掺杂到的晶体中得到稀磁性半导体材料，如图2。

已知图1中A原子的坐标为，则B原子的分数坐标为_______；若晶体密度为，设为阿伏加德罗常数的值，则晶胞中两个原子间的最小距离为_________（列出计算式即可）；稀磁性半导体材料中的原子个数比为_________。

8 . 在水溶液中可与 反应生成 和 下列说法错误的

A．中键角 小于

B．的沸点低于

C．与 的中心离子的配位数均为4

D．分子中含有的σ键与π键的物质的量之比为

10 . 向下列溶液中加入指定离子，一定有沉淀生成的是

A．向溶液中加入、、、

B．向溶液中加入、、、

C．向氨水中加入、、、

D．向新制氯水中加入、、、