3 . 硫代硫酸钠是重要的化工原料，易溶于水。实验室中探究与某些金属阳离子的氧化还原反应情况。
资料：i.(紫黑色)　；
ii.为白色沉淀，；
。
回答下列问题：
探究一

装置	编号	试剂X	实验现象
	①	溶液	混合后溶液先变成紫黑色，后溶液几乎变为无色
	②	溶液	一段时间后，生成白色沉淀，振荡后，沉淀溶解，得到无色溶液

(1)根据实验①的现象，初步判断最终被还原为，通过_____(填操作、试剂和现象)，进一步证实生成了。进一步实验证明最终被氧化为，该过程总反应的化学方程式为_____。
(2)氧化性：(同浓度)。但实验②中未发生氧化还原反应的原因是_____。
探究二

装置	编号	试剂X	实验现象
	③	溶液	立即生成白色絮状沉淀，沉淀很快变为黑色沉淀。

(3)实验③中黑色沉淀可能为或。通过_____(填操作、试剂和现象)，进一步证实生成了。白色絮状沉淀变为黑色沉淀的化学方程式为_____。
(4)将溶液逐滴滴入溶液中至过量，该过程可观察到的实验现象为_____。

4 . 镓(Ga)被誉为“电子工业脊梁”，高纯GaAs(砷化)可用于芯片制造，以砷化镓废料(含80%GaAs、8%Fe₂O₃、7%Al₂O₃和5%CaCO₃)制备高纯GaAs的流程如下：
   
已知：常温下            
回答下列问题：
(1)Ga与Al同族，位于元素周期表的________区。写出Ga的核外电子排布式________。
(2)滤渣1的主要成分有___________。
(3)通入CO₂调节pH的目的是___________。
(4)为探究“沉淀转溶”中在氨水中能否溶解，计算反应的平衡常数___________。
(5)产物纯度分析：将得到的产物进行X射线衍射测试。通过X射线衍射得到的数据与已知晶胞的边长进行对照，可以测定制备的GaAs是否纯净。GaAs的立方晶胞如图所示，其中Ga的配位数为___________；该晶体密度为，设为阿伏加德罗常数的值，晶胞边长为___________pm。
       
(6)芯片制造中的一种刻蚀过程如图所示，其中致密保护膜可阻止H₂O2刻蚀液与下层GaAs反应。
   
①刻蚀后AlAs层会形成砷酸(H₃AsO₄)和一种常见的致密氧化物保护膜。写出反应的化学方程式是___________。
②有研究人员提出可以用过硫酸钾K₂S₂O₈代替H₂O₂做刻蚀液，的结构如图：
   
推测氧化性：___________ H₂O₂ (填“>”“<”或“=”)。
资料：O-O键越易断裂，过氧化物的氧化性越强。

8 . 工业上利用无隔膜NaCl电解法脱除低温工业废气中 NO，可有效减少对空气的污染。

(1)电解NaCl溶液获得脱硝液(含NaClO)分两步进行，第二步反应的离子方程式是___________。
(2)脱硝液中含氯微粒的物质的量分数(δ)随pH的分布如图1所示；其他条件相同，NO转化率随脱硝液初始pH(用稀盐酸调节)的变化如图2所示：

①吸收塔中NO转化为NO的离子反应方程式是___________。
②脱硝液pH=5时，NO转化率最高，随pH升高，NO转化率会降低，原因是___________。
(3)吸收塔中采用气、液逆流(废气从吸收塔底进入，脱硝液从吸收塔顶喷淋)的方式吸收废气，目的是___________。
(4)KMnO₄可以增加脱硝液的氧化性，显著提高脱硝效率，但脱硝废液电解时无法实现KMnO₄的再生，需在脱硝液中及时补充。推测KMnO₄无法再生的原因：
Ⅰ． MnO在阴极直接得到电子被还原；
Ⅱ．脱硝废液中NO在阴极得电子转化为NO，NO还原MnO。
进行实验验证：

装置	实验	复合电解液	实验现象
	1	0.66mmol/LKMnO4+ 0.8547mol/LNaCl混合电解液( pH=7)	阳极溶液颜色基本不变； 阴极溶液颜色逐渐变暗； 25min电解液未呈现墨绿色， pH=12.1
	2	0.66mmol/L KMnO4+0.8547mol/L NaCl 、NaNO3混合电解液( pH=7)	阳极溶液颜色基本不变； 阴极溶液颜色逐渐变暗；25 min电解液呈现墨绿色， pH=12.4

资料： MnO为紫红色，MnO为墨绿色，MnO与MnO混合溶液颜色会变暗。
①实验1中阴极颜色变暗，阴极电极反应式是___________。
②根据实验1和2可得到的结论是___________。