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1 . 中国幅员辽阔,有丰富的金、银、铜、铅等矿产资源。根据所学知识回答下列问题:
(1)已知金的价电子排布式为,则其位于元素周期表___________区。
(2)某种配合物结构如图(H原子未给出)。

①该配合物中提供空轨道的为___________(填元素符号)。
②该配合物中N、O、S三种元素的第一电离能由大到小的顺序为___________
③该配合物中键角∠O—S—O___________(填“>”“<”或“=”)∠C—N—C。
(3)铜及其化合物常用作催化剂,如
分子中O原子的杂化轨道类型为___________
易溶于水,原因是______________________
的立体构型为___________,其分子中含有的键与键数目之比为___________
(4)Pb、S形成的某种晶体结构示意图如图,设晶胞参数为a pm,为阿伏加德罗常数的值。

①该晶体的化学式为___________
②该晶体的密度为___________
2024-06-08更新 | 28次组卷 | 1卷引用:青海省海南州贵德高级中学2023-2024学年高三下学期第九次模拟预测理综试题-高中化学
2 . 某离子液体,由原子序数依次增大的短周期主族元素X、Y、Z、W组成,其结构如图。X、Y元素的原子序数之和与Z元素的相等,Y的最外层电子数是内层电子总数的2倍,W的单质可用于自来水的消毒。下列说法正确的是

A.W的最高价氧化物的水化物为强酸B.Y、W组成的化合物易溶于水
C.简单氢化物的熔沸点:Z>Y>WD.原子半径:X>Y>Z
2024-06-08更新 | 57次组卷 | 1卷引用:青海省海南州贵德高级中学2023-2024学年高三下学期第九次模拟预测理综试题-高中化学
3 . 有机物I是制备抗炎镇痛药洛索洛芬钠的重要中间体,其一种合成路线如下:

已知:

回答下列问题:
(1)A→B的反应类型为________,H中含氧官能团的名称为________
(2)E→F的化学方程式为________
(3)G的结构简式为________,用*标出I中的手性碳原子________
(4)D的芳香族同分异构体中,核磁共振氢谱有4组峰,红外光谱显示有的结构有________种。
(5)根据上述信息,以苯和甲醛为主要原料制备的合成路线________
5 . 设为阿伏加德罗常数的值。砷化镓是半导体材料,气相生长法制备的原理如下:



下列叙述正确的是
A.的最外层电子数为
B.中含共价键数目为
C.标准状况下,含中子的数目为
D.反应③中每生成转移的电子数目为
2024-06-04更新 | 12次组卷 | 1卷引用:青海省海南州贵德高级中学2023-2024学年高三下学期第九次模拟预测理综试题-高中化学
6 . 常温下,向浓度相等的甲酸()和醋酸()的混合溶液中滴加氨水,溶液中]与的关系如图所示。下列叙述错误的是

A.代表的变化关系
B.常温下,
C.向溶液中滴加氨水至Q点:
D.上述反应中,最先生成
7 . 香港城市大学、中国科学院深圳先进技术研究院和深圳大学合作,证明了纳米片在酸性条件下具有本征差的析氢活性,展现出快速选择性地将硝酸根离子还原为氨的催化性能。下列有关装置放电过程(如图所示)的叙述错误的是

A.电子由a极经用电器流向b极
B.a极为负极,b极发生还原反应
C.b极上的电极反应式为
D.a极质量减少2.60g时,双极膜中有向a极区迁移

8 . 羰基钻催化剂可在温和条件下催化氢甲酰化反应,其结构为(Ph代表苯基)。回答下列问题:

(1)基态Co的价电子排布式为________
(2)羰基钴催化剂中位于第二周期的元素中,电负性由小到大的顺序为________(填元素符号),羰基钴催化剂与的晶体类型相同,的熔点高于羰基钴催化剂的原因是________
(3)羰基钴催化剂阳离子中Co处于平面四边形中心,羰基钴催化剂中采取杂化的元素种数为________,阴离子的空间结构为________,配体形成羰基钴催化剂过程中,键角________(填“变大”“变小”或“不变”)。
(4)一种掺Co催化剂的晶胞结构及晶胞沿面对角线投影如下图所示。晶胞中与Co最近的氧原子所构成的几何形状为________,投影图中氧原子的位置为________(填序号),阿伏加德罗常数的值为,晶体的密度为,则距离最近的两个氧原子间的距离为________cm(用含的代数式表示)。

9 . 下列仪器在相应实验中选用合理的是

A.蒸馏海水:①②③⑤
B.实验室分离碘单质和氯化钠的混合物:③⑦
C.用碳酸钠和稀硫酸制备:⑥
D.用酸性高锰酸钾标准溶液测定溶液中含量:④⑤
10 . 科教兴国,我国科技发展在多个领域获得突破。下列说法错误的是
A.新能源甲醇燃料电池汽车在行驶时其能量的转化形式:电能→化学能
B.新一代航空发动机陶瓷基复合材料:具有耐高温、耐腐蚀特性
C.利用高纯硅可以制成通信设备的芯片:高纯硅是广泛的半导体材料
D.火焰喷雾技术制备纳米材料:在高温火焰喷雾中形成的胶体属于气溶胶
共计 平均难度:一般