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1 . 芯片作为高科技产业,以及智能化、信息化、数字化的基础,自诞生以来就一直倍受关注。芯片制造要经过六个最为关键的步骤:沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。回答下列问题:
(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。
①镓为第四周期元素,基态Ga原子的核外电子排布式为:___________ ;
②将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料,晶体结构如甲图:掺杂Mn之后,晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为___________ 。
(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶,结构如图乙所示,其分子中S原子的杂化形式为___________ 。(3)“刻蚀”过程可能用到刻蚀剂HF、氟硼酸铵()及清洗剂,三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为___________ ,HF分子的极性___________ (填“大于”、“等于”或“小于”)HCl,1mol中含有___________ mol配位键。
(4)LiF晶体结构属于氯化钠型。
①LiF的熔点和沸点比NaCl的高,请解释原因:___________ 。
②LiF晶体的密度约为,LiF晶胞的体积约为___________ (保留一位小数)。
(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。
①镓为第四周期元素,基态Ga原子的核外电子排布式为:
②将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料,晶体结构如甲图:掺杂Mn之后,晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为
(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶,结构如图乙所示,其分子中S原子的杂化形式为
(4)LiF晶体结构属于氯化钠型。
①LiF的熔点和沸点比NaCl的高,请解释原因:
②LiF晶体的密度约为,LiF晶胞的体积约为
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2 . 常用作有机合成中的还原剂,其合成反应为。回答下列问题:
(1)基态氧原子中价层电子排布图为___________ ,O、H、Al电负性由大到小的顺序为___________ ,钠的焰色是黄色,产生此焰色时属于___________ (填“发射”或“吸收”)光谱。
(2)已知熔点为194℃、NaCl熔点为801℃,其原因是___________ ,又知铝的第一电离能比镁的第一电离能小,原因是___________ 。
(3)中碳原子的杂化方式为___________ ,的空间构型为___________ ,中不存在的化学键是___________ (填字母)。
A.σ键 B.配位键 C.离子键 D.非极性键
(4)晶体密度为,其晶胞图及部分微粒分数坐标如图所示,则C的分数坐标为___________ ,阿伏加德罗常数___________ 。
(1)基态氧原子中价层电子排布图为
(2)已知熔点为194℃、NaCl熔点为801℃,其原因是
(3)中碳原子的杂化方式为
A.σ键 B.配位键 C.离子键 D.非极性键
(4)晶体密度为,其晶胞图及部分微粒分数坐标如图所示,则C的分数坐标为
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3 . 羰基钻催化剂可在温和条件下催化氢甲酰化反应,其结构为(Ph代表苯基)。回答下列问题:
(1)基态Co的价电子排布式为(2)羰基钴催化剂中位于第二周期的元素中,电负性由小到大的顺序为
(3)羰基钴催化剂阳离子中Co处于平面四边形中心,羰基钴催化剂中采取杂化的元素种数为
(4)一种掺Co催化剂的晶胞结构及晶胞沿面对角线投影如下图所示。晶胞中与Co最近的氧原子所构成的几何形状为
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2024-06-01更新
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80次组卷
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2卷引用:2024届陕西省安康市安康市高新中学,安康中学高新分校高三下学期模拟预测理综试题-高中化学
解题方法
4 . Ga与B、Al处于同一主族,氮化镓是制造LED的重要材料,被誉为第三代半导体材料。回答下列问题:
(1)基态Ga原子的价电子排布式为___________ 。
(2)Be、B、C的电负性由小到大的顺序为___________ ,第一电离能由小到大的顺序为___________ 。
(3)①乙硼烷()的结构如图,其中B原子的轨道杂化类型是___________ 。与反应生成环氮硼烷(具有规则的平面六角形环状结构),写出一种与原子总数相同、价电子总数相同的分子___________ 。②硼的卤化物极易水解,从配位角度解释原因___________ 。
③B和N形成的BN有石墨型与金刚石型结构,金刚石型BN的硬度大于金刚石,原因是___________ 。
(4)氮化镓的一种晶体结构如图所示(属六方晶系),Ga的配位数为___________ ,晶体的密度为___________ (用含a、c、的代数式表示,为阿伏加德罗常数的值)。
(1)基态Ga原子的价电子排布式为
(2)Be、B、C的电负性由小到大的顺序为
(3)①乙硼烷()的结构如图,其中B原子的轨道杂化类型是
③B和N形成的BN有石墨型与金刚石型结构,金刚石型BN的硬度大于金刚石,原因是
(4)氮化镓的一种晶体结构如图所示(属六方晶系),Ga的配位数为
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5 . 国产大飞机C919的制造使用了较多含硼材料(如硼纤维、氮化硼等),多项技术打破了外国垄断。
(1)立方氮化硼硬度大,熔点为,其晶体类型为_______ 。
(2)耐高温材料立方制备流程中用到、和触媒剂。
①、B、N三种元素电负性从大到小的顺序为_______ 。
②中原子的_______ 轨道与原子的_______ 轨道形成键;形成过程中,基态原子价电子层上的电子先激发,再杂化,激发后原子的价电子轨道表示式为_______ 。
③在四氯化碳中的溶解度远大于,原因是_______ 。
(3)近年来硼氢类离子液体作为火箭推进剂燃料得到了广泛使用。该化合物(如图所示)中不存在的作用力有_______ (填字母)。A.离子键 B.配位键 C.金属键 D.键 E.键 F.氢键
(4)硼化钙晶胞结构如图所示,原子构成正八面体,各个顶点通过键互相连接成三维骨架,八个多面体围成立方体,中心为硼化钙的化学式为_______ 。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称为原子的分数坐标。已知原子的分数坐标为,正八面体中键的键长为r,晶胞参数为a,则点原子的分数坐标为_______ 。
(1)立方氮化硼硬度大,熔点为,其晶体类型为
(2)耐高温材料立方制备流程中用到、和触媒剂。
①、B、N三种元素电负性从大到小的顺序为
②中原子的
③在四氯化碳中的溶解度远大于,原因是
(3)近年来硼氢类离子液体作为火箭推进剂燃料得到了广泛使用。该化合物(如图所示)中不存在的作用力有
(4)硼化钙晶胞结构如图所示,原子构成正八面体,各个顶点通过键互相连接成三维骨架,八个多面体围成立方体,中心为硼化钙的化学式为
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6 . Fe、Co、Ni、Cu均为第四周期元素,它们的化合物在生产、生活中有着广泛的应用。
(1)基态Fe原子的核外电子中,两种自旋状态的电子数之比为___________ 。在空气中FeO稳定性小于,从电子排布的角度分析,其主要原因是___________ 。
(2)可形成,其中en代表。该化合物分子中,VSEPR模型为四面体的非金属原子共有___________ 个;C、N、B的电负性由小到大的顺序为___________ 。
(3)基态的核外电子排布式为___________ ;常温下为无色液体,写出两种与CO互为等电子体离子的化学式___________ 、___________ 。
(4)一种由Cu、In、Te组成的晶体属四方晶系,晶胞参数如图所示,晶胞棱边夹角均为90°,晶体中Te原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中,则四面体空隙的占有率为___________ ;该晶体的化学式为___________ 。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称为原子的分数坐标,如A点、B点原子的分数坐标分别为、,则c点原子的分数坐标为___________ ;晶胞中C、D间距离d=___________ pm。
(1)基态Fe原子的核外电子中,两种自旋状态的电子数之比为
(2)可形成,其中en代表。该化合物分子中,VSEPR模型为四面体的非金属原子共有
(3)基态的核外电子排布式为
(4)一种由Cu、In、Te组成的晶体属四方晶系,晶胞参数如图所示,晶胞棱边夹角均为90°,晶体中Te原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中,则四面体空隙的占有率为
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7 . 近年来,我国半导体材料市场发展迅速,其中以氮化嫁、碳化硅、氧化锌、金刚石等为主的材料备受关注。回答下列问题:
(1)基态Ga原子的价电子轨道表示式为___________ ,基态N原子核外电子有___________ 种空间运动状态。Zn在元素周期表中位于___________ 区。
(2)C,N、O的第一电离能由大到小的顺序为___________ 。的空间结构为___________ 。
(3)SiC的立方晶胞结构如图1所示,已知;1号C原子的坐标参数为(,,),晶胞参数为apm。则晶胞中2号C原子的坐标参数为___________ ,C和Si原子的最短距离为___________ pm。(4)GaN是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料,其晶胞结构如图2所示。已知:六棱柱底边边长为bpm,高为cpm,阿伏加德罗常数的值为NA。
①GaN晶体中N原子的杂化轨道类型为___________ 。
②GaN晶体的密度为___________ g/cm3(列出计算式,用含b、c、NA的代数式表示)。
(1)基态Ga原子的价电子轨道表示式为
(2)C,N、O的第一电离能由大到小的顺序为
(3)SiC的立方晶胞结构如图1所示,已知;1号C原子的坐标参数为(,,),晶胞参数为apm。则晶胞中2号C原子的坐标参数为
①GaN晶体中N原子的杂化轨道类型为
②GaN晶体的密度为
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8 . 镓、铟都是典型的稀有分散元素。回答下列问题:
(1)基态原子的核外价电子排布式为_____ ,最高能级电子的电子云形状为_____ 。
(2)一种含镓药物的合成方法如图所示:①化合物Ⅰ中环上原子的杂化方式为_____ ,化合物中含有的键的物质的量为_____ 。化合物Ⅰ中所含元素的电负性由大到小的顺序为_____ (用元素符号表示)。
②化合物Ⅱ中的配位数为_____ ,_____ 。
(3)一种由组成的晶体属四方晶系,晶胞棱边夹角均为,其晶胞结构如图。①A点、B点原子的分数坐标分别为。则C点原子的分数坐标为_____ 。
②表示阿伏加德罗常数的值,该晶体的密度为_____ (用含的代数式表示)。
(1)基态原子的核外价电子排布式为
(2)一种含镓药物的合成方法如图所示:①化合物Ⅰ中环上原子的杂化方式为
②化合物Ⅱ中的配位数为
(3)一种由组成的晶体属四方晶系,晶胞棱边夹角均为,其晶胞结构如图。①A点、B点原子的分数坐标分别为。则C点原子的分数坐标为
②表示阿伏加德罗常数的值,该晶体的密度为
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9 . 被认为是良好的光学基质材料,可由、、制备。回答下列问题:
(1)基态Zn原子的价电子轨道表达式为___________ ;基态N原子中未成对电子数为___________ 。
(2)O的第一电离能小于N的第一电离能的原因是___________ ;的组成元素中电负性由大到小的顺序为___________ (用元素符号表示)。
(3)中阴离子的空间构型为___________ ;其中C原子的杂化方式为___________ 。
(4)具有金红石型四方结构,具有钙钛矿型立方结构,两种晶体的晶胞结构如图所示:
①和晶体中,Zn的配位数之比为___________ 。
②若表示阿伏加德罗常数的值,则晶体的密度为___________ (用含a、c、的代数式表示)。
(1)基态Zn原子的价电子轨道表达式为
(2)O的第一电离能小于N的第一电离能的原因是
(3)中阴离子的空间构型为
(4)具有金红石型四方结构,具有钙钛矿型立方结构,两种晶体的晶胞结构如图所示:
①和晶体中,Zn的配位数之比为
②若表示阿伏加德罗常数的值,则晶体的密度为
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2024-01-08更新
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238次组卷
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2卷引用:2024届陕西省商洛市高三上学期尖子生学情诊断考试理综试题
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10 . 工业上利用镁精矿石可以制备单质Mg,其反应原理为、。请回答下列问题:
(1)基态硅原子核外电子云轮廓图呈球形、哑铃形的能级上电子数之比为______ ;上述反应原理中所涉及的非金属元素的电负性从大到小的顺序为______ (用元素符号表示)。
(2)钙或钙盐的焰色为砖红色,该光谱属于______ 光谱(填“吸收”或“发射”)。
(3)单质镁、单质硅的晶体类型依次为______ 、______ 。
(4)排放出的二氧化碳可用碳酸酐酶固定,碳酸酐酶的部分结构如图所示:
已知:为平面形分子。
①上述碳酸酐酶的部分结构中氮原子、氧原子的杂化类型依次为______ 、______ 。
②1mol分子中含有______ 键。
(5)MgO具有NaCl型结构,X射线衍射实验测得MgO晶胞边长为anm。
设为阿伏加德罗常数的值,则MgO晶体的密度为______ ((用含a、的代数式表示)。
(1)基态硅原子核外电子云轮廓图呈球形、哑铃形的能级上电子数之比为
(2)钙或钙盐的焰色为砖红色,该光谱属于
(3)单质镁、单质硅的晶体类型依次为
(4)排放出的二氧化碳可用碳酸酐酶固定,碳酸酐酶的部分结构如图所示:
已知:为平面形分子。
①上述碳酸酐酶的部分结构中氮原子、氧原子的杂化类型依次为
②1mol分子中含有
(5)MgO具有NaCl型结构,X射线衍射实验测得MgO晶胞边长为anm。
设为阿伏加德罗常数的值,则MgO晶体的密度为
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2023-12-13更新
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318次组卷
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3卷引用:陕西省安康市高新中学2023-2024学年高三上学期阶段性测试四化学试题