1 . 镓的化合物
(1)半导体工业中通过刻蚀制造微纳结构，GaN是重要的半导体材料，通常采用含氯气体在放电条件下进行刻蚀。写出利用Ar-Cl₂混合气体放电刻蚀GaN的化学方程式_____。
(2)金属镓熔点很低但沸点很高其中存在二聚体Ga．1990年，科学家将液态Ga和l₂在甲苯中超声处理，得到了组成为Gal的物质。该物质中含有多种不同氧化态的Ga，具有两种可能的结构，分子式分别为Ga₄I₄(A)和Ga₆I₆(B)，二者对应的阴离子分别为C和D，两种阴离子均由Ga和I构成且其中所有原子的价层均满足8电子。写出示出A和B组成特点的结构笱式并标出Ga的氧化态_____，画出C和D的结构_____。
   
(3)GaI常用于合成低价Ga的化合物。将GaI与Ar’Li(Ar’基如图所示，解答中直接采用简写Ar’)在-78℃的甲苯溶液中反应，得到晶体E，E中含有2个Ga原子：E在乙醚溶液中与金属钠反应得到晶体F，X射线晶体学表明，F中的Ga-Ga键长比E中短0.028nm。关于F中Ga-Ga的键级历史上曾有过争议，其中一种观点认为，F中的Ca价层满足8电子。基于该观点，画出E和F的结构式_____。

2 . 请为以下转化提供合理的中间体和过渡态结构，并根据相关过渡态的立体化学模型确定产物中手性中心的立体化学___________。

5 . 完成下列问题。
(1)画出下面反应过渡态的前线轨道示意图___________。

(2)试比较下列各组中两个化合物的第一电离势(IP₁)大小，并简述理由。
(i)：___________。
(ii)：___________。
(iii)：___________。
(iv)：___________。
(3)为以下反应结果给出一个合适的解释(最好画出反应的过渡态)___________。

(4)下列烯烃与BH₃发生硼氢化反应的速率从快到慢的排序为___________。

(5)下列二醇被高碘酸氧化的速率从快到慢的排序为___________。

(6)为什么负离子亲核试剂，例如碳负离子，在DMSO中的亲核性会显著增强___________？
(7)相比于四氢呋喃中，碘负离子的亲核性在甲醇中是更强还是更弱，为什么___________？

6 . 硅可以和多种金属形成组成各异、结构丰富的二元化合物。例如，在Ca-Si体系中，有Ca₅Si，Ca₂Si，CaSi₂，CaSi₃等等。随着高压科学和技术的发展，总来越多的新物相新结构得以发现且呈现出有趣的成键特点。在20GPa条件下得到的二元Ca-Si化合物D属四方晶系，晶胞参数，，结构沿c方向的投影如图所示，虚线围出晶胞，浅色大球代表，深色小球代表硅原子，硅形成平面正方形的四聚硅簇，其中Si-Si键长为。Ca离子在用平面四方形排列形成垂直于c的层(同层离子即可给出图中投影)与四聚硅阴离子所形成的层沿c方向均衡交替排布，有一半Ca离子投影在平面正方形硅簇的中心位置。

(1)写出化合物D晶体的点阵型式和结构基元___________。(提示：注意同号电荷相斥！)
(2)若将晶胞原点取在四聚硅簇平面正方形的中心，写出晶胞中所有原子的坐标参数_______。
(3)写出Si的氧化数并画出四聚硅阴离子的经典Lewis结构___________。
(4)化学物D不稳定，大气压下可发生分解。其产物之一便是CaSi_2.CaSi₂也有丰富的结构，其中一种结构中，硅通过三连接方式形成二维延伸，硅只有一种化学环境且所有硅原子的价层均满足八电子。画出该结构的示意图___________。(要求：示出结构特征，至少包含20个硅原子，并勾勒出二维晶胞)

8 . nesteretal A是一种从某菌体中提取出来的笼状聚半缩酮，在2021年，化学家Yuichiro Kawamoto等人提出了nesteretal A的一种全合成路线。下面展示了该全合成路线的部分反应。

   
(1)已知IBX是一种氧化剂，可以将醇氧化为酮；环氧乙烷在酸性水溶液中会水解为乙二醇。请画出A、C的键线式______、______。
(2)根据前后反应，写出MOMCl的键线式______，并说明A到B的反应类型______。
(3)加入反应物的目的是什么______？
(4)试画出D到E的第一步反应产物的键线式______。(不要求立体构型)
(5)请写出nesteretal A的分子式_______。

9 . 可与含有一个可被置换的氢原子的配体作用生成取代产物。现以与甲醇反应，得到完全取代的产物A和副产物B。经测定，A是一线性聚合物，其结构如图。下列说法错误的是

A．B是HCl	B．V含有未成对电子
C．V的配位构型为畸变的八面体	D．A的结构含有键和π键

10 . 以下哪个反应不会生成

A．与	B．与
C．与	D．与