2 . 2023年诺贝尔化学奖授予蒙吉·G·巴文迪等三位科学家，以表彰他们在发现和合成量子点方面所作出的贡献，碳量子点是一类具有显著荧光性能的零维碳纳米材料，其结构如图所示。回答下列问题：

(1)按电子排布，碳元素位于周期表里的_______区，图中C的杂化方式为_______。
(2)碳量子点结构包含的元素中电负性由大到小排列为：_______。
(3)碳量子点水溶性_______(选填“>”“＜”“=”)石墨水溶性，理由是：_______。
(4)高压合成金刚石的原料是廉价的石墨，用高压釜持续施加高温高压并加入金属镍等金属催化剂，石墨可转化为金刚石。基态镍原子核外电子的空间运动状态有_______种，比较二者C-C共价键的键长：石墨_______金刚石(选填“>”“＜”“=”)。
(5)氮化硼(BN)是一种性能优异、潜力巨大的新型材料，其中一种结构为立方氮化硼(如图)，类似于金刚石。

经实验测得立方氮化硼晶胞边长为361.5pm，该实验方法为_______，则立方氮化硼晶体密度为_______g·cm^-3(列出计算式，阿伏加德罗常数的值为N_A)。

4 . 铜配合物(见图1，未表示出氢原子)和锌配合物(见图2，未表示出氢原子)可分别形成笼状配合物和多孔配位聚合物。回答下列问题：

(1)基态的未成对电子数为___________；第二电离能较大者是___________。
(2)中C原子的轨道杂化类型为___________，所含元素电负性由小到大的顺序为___________。
(3)中锌离子的配位数为___________；熔点为，属于___________(填“离子”、“共价”或“分子”)晶体。
(4)用对苯二甲酸根替换后，团簇被对苯二甲酸根相互连接形成的晶体Z立方晶胞的1/8如图。已知该晶体密度为，假设其摩尔质量为为阿伏加德罗常数的值。

①对苯二甲酸根的___________原子提供孤对电子与团簇形成配位键。
②晶体Z的化学式为___________。
③立方晶胞参数为___________(列出计算式)。

5 . 决定物质性质的根本因素是物质结构。请回答下列问题：
(1)物质中非金属元素的电负性由小到大的顺序为______。
(2)Ca元素基态原子的价电子排布式为______；Ca元素的气态原子逐个依次失去第1至第5个电子所需能量(电离能)用I₁至I₅表示，其中所需能量差值最大的是______(填字母)。
A、   B、   C、   D、
(3)物质Na₃AsO₃中As原子的杂化方式为______；AsCl₃的空间构型为______。
(4)已知：GaAs和GaN的晶胞结构均与金刚石的相似，GaAs熔点为1238℃，GaN熔点约为l500℃，则GaAs熔点低于GaN的原因为______。
(5)与互为等电子体的分子的化学式为______(写一种)。
(6)FeS₂晶体的晶胞如图所示。晶胞边长为anm，FeS₂相对式量为M，阿伏加德罗常数的值为N_A，其晶体密度的计算表达式为______；晶胞中Fe²⁺位于S^2-所形成的正八面体的体心，该正八面体的边长为______nm。

6 . 硼和镓及其化合物在合金工业、制药工业、电池工业有广泛的应用。用于制氢的氨硼烷是非常有应用潜力的车载储氢材料之一，氨硼烷水解释放氢气，在催化剂存在条件下进行，该反应是氢元素间的归中反应，其反应方程式为：NH₃BH₃+2H₂O=++3H₂↑。回答下列问题：
(1)基态B原子的最高能级电子排布式为___________。
(2)NH₃BH₃中所含元素电负性由大到小的顺序为___________，氨硼烷比其等电子体乙烷熔点高，原因是___________。
(3)反应方程式中是的简写形式，中含有一个六元环状结构，且只有氧原子最外层达到8e^-稳定结构，写出的结构式：___________。
(4)一种含镓的药物合成方法如图所示：

①化合物Ⅰ中环上N原子的杂化方式为___________，1mol化合物Ⅰ中含有的C-H和C-Cσ键的数目共为___________N_A。
②化合物Ⅱ中Ga的配位数为___________，x=___________。
(5)磷化硼(BP)是一种超硬耐磨涂层材料，其晶胞结构如图甲所示，已知该晶体的密度为ρg/cm³)，设N_A是阿伏加德罗常数的值，若P原子半径为apm，晶胞中B、P原子相切，则B原子半径为___________pm(写计算表达式)；磷化硼晶胞沿着体对角线方向的投影(图乙中○表示P原子的投影)，在图乙中用●画出B原子的投影位置___________。

9 . 含碘的物质广泛应用于生活中。如(CH₃NH₃)PbI₃作为典型的有机金属卤化物，一直是太阳能电池研究的宠儿；AgI可用于显影剂和人工增雨。
(1)基态碘原子的价电子排布式为___________。
(2)CH₃NH中所含元素电负性从大到小的顺序为___________。
(3)I的VSEPR模型如下图，中心I原子的杂化方式是___________(填“sp³”、“sp”、“sp³d”或“sp³d²”)。I的空间构型为___________。

(4)Ti的四卤化物熔点如下表所示。由此可推知，TiF₄中的化学键类型是___________TiCl₄至TiI₄熔点依次升高，原因是___________。

化合物	TiF4	TiCl4	TiBr4	TiI4
熔点/℃	377	-24.12	38.3	155

(5)(CH₃NH₃)PbI₃晶体属于钙钛矿型结构(如图所示)。Pb²⁺周围距离最近且相等的I^-数目有___________个；晶胞中A、B之间的距离为apm，(CH₃NH₃)PbI₃式量为M，该物质的密度ρ=___________g·cm^-3(列出计算式，设N_A为阿伏加德罗常数的值)。

(6)在离子晶体中，当0.414<r(阳离子)∶r(阴离子)<0.732时，AB型化合物往往采用和NaCl晶体相同的晶体结构。已知r(Ag⁺)∶r(I^-)=0.573，但在室温下，AgI的晶体结构如下图所示，称为六方碘化银。造成AgI晶体结构不同于NaCl晶体结构的原因不可能是___________(填标号)。

a．几何因素     b．电荷因素     c．键性因素