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解题方法
1 . 某科研人员提出HCHO与在羟基磷灰石(HAP)表面催化氧化生成,的历程,该历程示意图如图(图中只画出了HAP的部分结构)所示。下列说法正确的是
A.HAP降低了该反应的焓变() |
B.反应过程中,发生了非极性键的断裂和生成 |
C.HCHO在反应过程中,无键发生断裂 |
D.和的中心原子上所含孤电子对数不同 |
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2024-04-26更新
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365次组卷
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5卷引用:重庆市渝西中学2023-2024学年高二下学期4月月考化学试题
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解题方法
2 . 氨硼烷(NH3BH3)在一定条件下与水反应:,的结构如图所示,下列说法正确的是
A.NH3BH3分子中存在配位键,B原子提供孤电子对 |
B.1molNH3BH3发生反应时转移3mole- |
C.反应产物中只含有离子键、配位键和非极性共价键 |
D.反应过程中B原子的杂化方式由sp2变为sp3 |
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2024-04-26更新
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141次组卷
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2卷引用:重庆市渝西中学2023-2024学年高二下学期4月月考化学试题
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3 . 我国科技工作者用钾离子促进电催化合成尿素可能的反应机理如图。与其他步骤相比,碳氮键的形成过程活化能更高。下列说法正确的是
A.尿素中氮原子采取杂化 | B.步骤①和③的反应速率较其他步骤快 |
C.步骤⑥发生的是氧化反应 | D.以上过程中涉及极性键的形成和断裂 |
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4 . 下列关于物质结构和性质的说法正确的是
A.的球棍模型为 |
B.二氯化二硫的电子式为 |
C.的模型与空间结构名称均为正四面体形 |
D.酸性: |
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解题方法
5 . X、Y、Z、W是4种原子序数依次增大的短周期主族元素。其中Y和Z的价层电子数相同,Y原子的s能级与p能级填充的电子数相等。四种元素形成如图所示两种化合物,它们均能水解生成对应的酸和氧化物。下列说法错误的是
A.X的核外电子排布式为 |
B.的空间构型为平面三角形 |
C.的中心原子采取杂化 |
D.2种化合物水解得到氧化物分别为和 |
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6 . 一种合金催化剂催化水解释氢的反应机理如图所示。下列说法正确的是
A.使用催化剂增大反应的活化能和反应速率 |
B.反应过程中B原子杂化方式不变 |
C.反应过程中无配位键断裂 |
D.若将换成,则有HD和生成 |
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7 . 实验室可用反应制取少量。下列说法正确的是
A.的空间填充模型为 | B.的空间结构为V形 |
C.的结构示意图为 | D.的电子式为 |
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8 . 氮、磷、砷等元素的单质及其化合物在生产生活中应用广泛。回答下列问题:
(1)是一种优良的等离子蚀刻气体,在芯片制造、高能激光器方面有广泛应用,分子的空间构型为________ .
(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝在绝缘材料中应用广泛,氮化铝晶体与金刚石类似,每个铝原子与_______ 个氮原子相连,氮化铝晶体属于__________ 晶体。
(3)M是氮杂氟硼二吡咯类物质,常用作光敏剂,其结构如图。已知虚线框内五元环结构类似苯,存在五中心六电子离域大键,则虚线框中氮元素采用杂化方式为_______ ,M中存在的微粒间作用力有_______ (填标号)。
A.共价键 B.离子键 C.氢键 D.配位键
(4)是一种重要的半导体材料,晶胞结构如图1;将掺杂到的晶体中得到稀磁性半导体材料,如图2。已知图1中A原子的坐标为,则B原子的分数坐标为_______ ;若晶体密度为,设为阿伏加德罗常数的值,则晶胞中两个原子间的最小距离为_________ (列出计算式即可);稀磁性半导体材料中的原子个数比为_________ 。
(1)是一种优良的等离子蚀刻气体,在芯片制造、高能激光器方面有广泛应用,分子的空间构型为
(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝在绝缘材料中应用广泛,氮化铝晶体与金刚石类似,每个铝原子与
(3)M是氮杂氟硼二吡咯类物质,常用作光敏剂,其结构如图。已知虚线框内五元环结构类似苯,存在五中心六电子离域大键,则虚线框中氮元素采用杂化方式为
A.共价键 B.离子键 C.氢键 D.配位键
(4)是一种重要的半导体材料,晶胞结构如图1;将掺杂到的晶体中得到稀磁性半导体材料,如图2。已知图1中A原子的坐标为,则B原子的分数坐标为
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9 . 已知反应可以制取硫酸铵晶体,下列说法正确的是
A.的电子式为 | B.的VSEPR模型为三角锥形 |
C.钙离子结构示意图为 | D.由非金属元素组成,仅含共价键 |
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10 . 柠檬烯的结构式如图所示,下列说法正确的是
A.柠檬烯的分子式为 |
B.柠檬烯最多能与发生加成反应 |
C.柠檬烯分子中碳原子的杂化方式有、、 |
D.柠檬烯分子的所有碳原子都可以位于同一平面内 |
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