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1 . X、Y、Z、W是4种原子序数依次增大的短周期主族元素。其中Y和Z的价层电子数相同,Y原子的s能级与p能级填充的电子数相等。四种元素形成如图所示两种化合物,它们均能水解生成对应的酸和氧化物。下列说法错误的是
A.X的核外电子排布式为 |
B.的空间构型为平面三角形 |
C.的中心原子采取杂化 |
D.2种化合物水解得到氧化物分别为和 |
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2 . 一种合金催化剂催化水解释氢的反应机理如图所示。下列说法正确的是
A.使用催化剂增大反应的活化能和反应速率 |
B.反应过程中B原子杂化方式不变 |
C.反应过程中无配位键断裂 |
D.若将换成,则有HD和生成 |
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3 . 实验室可用反应制取少量。下列说法正确的是
A.的空间填充模型为 | B.的空间结构为V形 |
C.的结构示意图为 | D.的电子式为 |
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4 . 氮、磷、砷等元素的单质及其化合物在生产生活中应用广泛。回答下列问题:
(1)是一种优良的等离子蚀刻气体,在芯片制造、高能激光器方面有广泛应用,分子的空间构型为________ .
(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝在绝缘材料中应用广泛,氮化铝晶体与金刚石类似,每个铝原子与_______ 个氮原子相连,氮化铝晶体属于__________ 晶体。
(3)M是氮杂氟硼二吡咯类物质,常用作光敏剂,其结构如图。已知虚线框内五元环结构类似苯,存在五中心六电子离域大键,则虚线框中氮元素采用杂化方式为_______ ,M中存在的微粒间作用力有_______ (填标号)。
A.共价键 B.离子键 C.氢键 D.配位键
(4)是一种重要的半导体材料,晶胞结构如图1;将掺杂到的晶体中得到稀磁性半导体材料,如图2。已知图1中A原子的坐标为,则B原子的分数坐标为_______ ;若晶体密度为,设为阿伏加德罗常数的值,则晶胞中两个原子间的最小距离为_________ (列出计算式即可);稀磁性半导体材料中的原子个数比为_________ 。
(1)是一种优良的等离子蚀刻气体,在芯片制造、高能激光器方面有广泛应用,分子的空间构型为
(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝在绝缘材料中应用广泛,氮化铝晶体与金刚石类似,每个铝原子与
(3)M是氮杂氟硼二吡咯类物质,常用作光敏剂,其结构如图。已知虚线框内五元环结构类似苯,存在五中心六电子离域大键,则虚线框中氮元素采用杂化方式为
A.共价键 B.离子键 C.氢键 D.配位键
(4)是一种重要的半导体材料,晶胞结构如图1;将掺杂到的晶体中得到稀磁性半导体材料,如图2。已知图1中A原子的坐标为,则B原子的分数坐标为
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5 . 已知反应可以制取硫酸铵晶体,下列说法正确的是
A.的电子式为 | B.的VSEPR模型为三角锥形 |
C.钙离子结构示意图为 | D.由非金属元素组成,仅含共价键 |
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6 . 我国科研工作者成功合成了一种含铜(II)高效催化剂,该催化剂的部分结构如下图所示,该部分结构中的所有原子共平面。下列说法正确的是
A.铜元素位于周期表的d区 |
B.该催化剂中铜的配位数为3 |
C.该部分结构中C、N原子的杂化类型相同 |
D.基态N原子核外有7种不同空间运动状态的电子 |
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2024-04-16更新
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250次组卷
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2卷引用:重庆市康德2024年普通高中学业水平选择性考试高三下学期高考模拟调研卷(三)化学试题
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7 . 柠檬烯的结构式如图所示,下列说法正确的是
A.柠檬烯的分子式为 |
B.柠檬烯最多能与发生加成反应 |
C.柠檬烯分子中碳原子的杂化方式有、、 |
D.柠檬烯分子的所有碳原子都可以位于同一平面内 |
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8 . 为解决汽车尾气达标排放,催化剂及其载体的选择和改良是关键。目前我国研制的稀土催化剂具有很好的催化转化效果,催化过程图如下。(1)Zr原子序数为40,价电子排布为:4d25s2,它在周期表中的位置为__________ 。
(2)CO、NO均能够与血红蛋白(Hb)中Fe2+形成稳定的配合物使血红蛋白失去携氧能力,因而具有毒性。
已知:CO进入血液后有如下平衡:CO+Hb·O2O2+Hb·CO
①C、N、O三种元素,第一电离能由大到小的顺序为________ ,简单氢化物的沸点由大到小的顺序为_____ (用氢化物化学式表示)。
②在CO、NO结构中,C、N、O原子均含有孤电子对,与Fe2+配位时,配位原子均不是O原子,理由是:_______________ 。
③高压氧舱可用于治疗CO中毒,结合平衡移动原理解释其原因:____________ 。
(3)为节省贵金属并降低成本,常用某些复合型物质作催化剂。一种复合型物质的晶胞结构如图所示。①该复合型物质的化学式为________ 。
②已知阿伏加德罗常数的值为NA,该晶体的密度为ρg/cm3。其晶胞为立方体结构,则晶胞的边长为________ cm。
(2)CO、NO均能够与血红蛋白(Hb)中Fe2+形成稳定的配合物使血红蛋白失去携氧能力,因而具有毒性。
已知:CO进入血液后有如下平衡:CO+Hb·O2O2+Hb·CO
①C、N、O三种元素,第一电离能由大到小的顺序为
②在CO、NO结构中,C、N、O原子均含有孤电子对,与Fe2+配位时,配位原子均不是O原子,理由是:
③高压氧舱可用于治疗CO中毒,结合平衡移动原理解释其原因:
(3)为节省贵金属并降低成本,常用某些复合型物质作催化剂。一种复合型物质的晶胞结构如图所示。①该复合型物质的化学式为
②已知阿伏加德罗常数的值为NA,该晶体的密度为ρg/cm3。其晶胞为立方体结构,则晶胞的边长为
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9 . 碳中和的目标是减少含碳气体的排放。CH4与CO2都能引起温室效应,将二者联合处理不仅可以减缓温室气体排放,还可以转化为CH3OH、CH3COOH、H2等高附加值产品。
(1)CH4与CO2在一定条件下能发生如下两个反应:
Ⅰ.CH4(g)+CO2(g)2CO(g)+2H2(g) ΔH1=+247kJ/mol
Ⅱ.CO2(g)+H2(g)CO(g)+H2O(g) ΔH2=+41kJ/mol
若CH4与CO2按物质的量之比1∶3投料在某恒容密闭容器中发生上述反应,一定时间内CH4与CO2的转化率随温度的变化如图所示,其中CO2在1000℃时的平衡转化率为60%,CH4在1000℃时的平衡转化率几乎为100%。①反应Ⅰ在_______ 下能自发进行(填“高温”或“低温”)。
②温度高于700℃ 时,随温度升高,平衡产物中H2O的体积分数_______ (填“增大”“减小”或“不变”)。
③1000℃时反应Ⅱ 的平衡常数K=_______ (保留3位有效数字,下同),平衡时CO的体积分数为_______ 。
(2)CH4与CO2在催化剂作用下反应可生成CH3COOH,其反应机理如图所示。①写出该反应的化学方程式:_______ 。
②转化过程中经历了i→ii的变化,该变化过程_______ (填“吸热”或“放热”)。产物CH3COOH中碳原子的杂化方式为_______ 。
③甲醇(CH3OH)与氧气形成的燃料电池是新能源汽车等领域常用的电池。通常以石墨为电极,KOH溶液为电解质溶液,该电池放电时,负极反应式为_______ 。
(1)CH4与CO2在一定条件下能发生如下两个反应:
Ⅰ.CH4(g)+CO2(g)2CO(g)+2H2(g) ΔH1=+247kJ/mol
Ⅱ.CO2(g)+H2(g)CO(g)+H2O(g) ΔH2=+41kJ/mol
若CH4与CO2按物质的量之比1∶3投料在某恒容密闭容器中发生上述反应,一定时间内CH4与CO2的转化率随温度的变化如图所示,其中CO2在1000℃时的平衡转化率为60%,CH4在1000℃时的平衡转化率几乎为100%。①反应Ⅰ在
②温度高于700℃ 时,随温度升高,平衡产物中H2O的体积分数
③1000℃时反应Ⅱ 的平衡常数K=
(2)CH4与CO2在催化剂作用下反应可生成CH3COOH,其反应机理如图所示。①写出该反应的化学方程式:
②转化过程中经历了i→ii的变化,该变化过程
③甲醇(CH3OH)与氧气形成的燃料电池是新能源汽车等领域常用的电池。通常以石墨为电极,KOH溶液为电解质溶液,该电池放电时,负极反应式为
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10 . 氟元素可形成多种有工业价值和科研价值的化合物,如OF2、(CF)x、XeF2、HF、NH4BF4、CaF2等。
(1)基态F原子核外电子有______ 种空间运动状态,下列为氟原子激发态的电子排布式的是_____ (填序号)。
A.1s22s22p43s1 B.1s22s22p43d2 C.1s22s12p2 D.1s22s22p33p2
(2)F2通入稀NaOH溶液中可生成OF2,其中氧原子的杂化方式为_________ 。
(3)AlF3的熔点为1090℃,远高于AlCl3的熔点(192℃),其原因是___________ 。
(4)石墨与F2在450℃反应,石墨层间插入F得到层状结构化合物(CF)x,该物质仍具有润滑性,其单层局部结构如图所示。与石墨相比,(CF)x的导电性________ (填“增强”或“减弱”),(CF)x中C-C键的键长比石墨中C-C键的_______ (填“长”或“短”)。
(5)芯片制造会经过六个最为关键的步骤:沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。其中“刻蚀”过程可能用到刻蚀剂HF、NH4BF4及清洗剂CH3CH(OH)CH3,三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为________ ,1mol氟硼酸铵(NH4BF4)中含有_______ mol配位键。
(1)基态F原子核外电子有
A.1s22s22p43s1 B.1s22s22p43d2 C.1s22s12p2 D.1s22s22p33p2
(2)F2通入稀NaOH溶液中可生成OF2,其中氧原子的杂化方式为
(3)AlF3的熔点为1090℃,远高于AlCl3的熔点(192℃),其原因是
(4)石墨与F2在450℃反应,石墨层间插入F得到层状结构化合物(CF)x,该物质仍具有润滑性,其单层局部结构如图所示。与石墨相比,(CF)x的导电性
(5)芯片制造会经过六个最为关键的步骤:沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。其中“刻蚀”过程可能用到刻蚀剂HF、NH4BF4及清洗剂CH3CH(OH)CH3,三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为
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