1 . 以乙炔为主要原料可合成聚乙烯、聚丙烯晴和氯丁橡胶，有关合成路线如图所示：

已知反应：nCH₂=CH-CH=CH₂

(1)乙炔分子所含的官能团名称为：___________。
(2)写出反应①方程式：___________。
(3)写出反应②方程式：___________。
(4)写出物质D的结构简式：___________。
(5)写出物质C的结构简式：___________。

3 . 近年来美国为了遏制中国发展，对我国发起了以封锁“芯片”为核心的全方位打压，此举激发了中国科技人员自研的决心。回答下列问题：
(1)我国现已能够拉制出直径为300mm、重达81kg的大直径硅单晶，晶体硅材料被大量用于电子产业。

①某同学画出基态Si原子的价层电子排布图：，该电子排布图违背_______。

②硅在一定条件下可以与反应生成，判断的沸点比的_______(填“高”或“低”)，理由_______。
(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝，是制造5G芯片的重要绝缘材料。氮化铝晶体与金刚石类似，每个铝原子与_______个氮原子相连，氮化铝晶体属于_______晶体。
(3)“遥遥领先”的华为芯片制造过程用了蚀刻技术。利用进行硅芯片蚀刻时的产物均为气体，在蚀刻物表面不留任何残留物。
①分子的空间构型为_______。
②的一种下游产品三聚氟氰(分子式为：)，分子结构中有类似苯环结构，所有原子均满足8电子结构。写出三聚氟氰的结构式_______。
(4)2022年10月宁波南大光电ArF光刻胶生产线正式投产，国内7nm芯片制造材料获得重大突破。一种聚碳酸酯胶的曝光分解原理如下：

①该聚碳酸酯中碳原子的杂化方式为_______。
②聚碳酸酯膜曝光后的产物加热可汽化或溶于水，加热汽化或溶于水克服的作用力有_______。
a．配位键       b．离子键       c．范德华力       d．氢键       e．共价键
(5)GaAs是一种制造芯片重要的半导体材料，晶胞结构如图1，将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料，如图2。

①已知图1中A原子的坐标为(0，0，0)，则B原子的分数坐标为_______。
②若GaAs晶体密度为，设为阿伏加德罗常数的值，则晶胞中两个As原子间的最小距离为_______cm(列出计算式即可)。
③稀磁性半导体材料中Mn、As的原子个数比为_______。

4 . CO₂的捕获是实现资源利用的重要途径。
(1)烟气中CO₂捕集可通过如下所示的物质转化实现。

“脱碳”的化学反应方程式为_______。
(2)CO₂和H₂催化合成CH₄。
主要发生反应为，一定温度和压强下，将一定比例CO₂和H₂分别通过装有两种不同催化剂的反应器，反应相同时间，测得CO₂转化率随温度变化情况如图1所示。

①高于320℃后，用Ni作催化剂，CO₂转化率明显上升，其原因是_______。
②高于320℃后，用Ni-CeO₂作催化剂，CO₂转化率略有下降，可能原因是_______。
(3)一种有机多孔电极材料(铜粉沉积在一种有机物的骨架上)电催化还原CO₂的装置示意图如图2所示。控制其他条件相同，将一定量的CO₂通入该电催化装置中，阴极所得产物及其物质的量与电压的关系如图3所示。

①写出Cu原子的核外电子排布式：_______。
②b电极生成HCOOH的电极反应式为_______。
③科研小组利用¹³CO₂代替原有的CO₂进行研究，其目的是_______。
④控制电压为0.8V，电解时转移电子的物质的量为_______mol。

5 . 利用含锌废料(主要成分是氧化锌，含有少量铁、铝、铜、锰等金属氧化物或盐)制备氯化锌的一种工艺流程如下：

(1)为了提高盐酸浸取效率，可采取的措施有_______。(写出任意两点)
(2)为优化工艺流程，盐酸浸取后直接进行高锰酸钾氧化除杂。结合下列图表选择浸取工艺最佳pH范围为_______，理由是_______。
A.1.5~2.0 　　　　　B.2.0~3.0　　　　C.3.0~4.0　　　　D.4.5~5.0

金属离子	Fe2+	Al3+	Fe3+	Cu2+	Mn2+	Zn2+
开始沉淀的pH c=0.01mol·L-1	6.8	3.7	1.8	5.2	8.6	6.7
沉淀完全的pH c=1.0×10-5mol·L-1	8.3	4.7	2.8	6.7	10.1	8.2

(3)滤渣的主要成分有Fe(OH)₃、_______和MnO₂，该工艺中去除锰的离子方程式为_______。
(4)最适宜使用的还原剂是_______。
(5)氯化锌溶液在蒸发浓缩过程中如操作不当将有碱式盐Zn(OH)Cl生成，该反应方程式为_______。

6 . 含Cu、Zn、Sn及S的四元半导体化合物(简写为CZTS)，是一种低价、无污染的绿色环保型光伏材料，可应用于薄膜太阳能电池领域。回答下列问题：
(1)与相比，第二电离能与第一电离能差值更大的是___________，原因是___________。
(2)与C处于同一族，的几何构型为___________。
(3)将含有未成对电子的物质置于外磁场中，会使磁场强度增大，称其为顺磁性物质。下列物质中，属于顺磁性物质的是___________(填标号)。

A．	B．
C．	D．

(4)如图是硫的四种含氧酸根的结构：

根据组成和结构推断，能在酸性溶液中将转化为的是___________(填标号)。理由是___________。
(5)如图是CZTS四元半导体化合物的四方晶胞。该物质的化学式为___________。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标。若图中A原子的坐标为，则B的原子坐标为___________。

7 . 材料是人类文明进步的阶梯，第IIIA、IVA、VA族元素是组成特殊材料的重要元素。请回答下列问题：
(1)基态As原子核外能量最高能级的电子云形状为___________。
(2)M与位于同周期，的一种配合物组成为。
①下列有关、的说法正确的是___________(填字母)。
a．分子空间构型相同             b．中心原子杂化类型相同             c．键角大小相同
②含___________molσ键。
③配合物T与组成元素相同，中心离子的配位数相同。溶于水，加入足量溶液可生成；且T溶于水加强碱再加热不产生氨气。则T的化学式为___________。
(3)常压、180℃时，升华形成的二聚体的结构如图所示。

①试用“→”标出其中的配位键___________。

②其中的配位数为___________。
(4)磷化硼(BP)是一种超硬耐磨涂层材料，其晶胞结构如右图所示，该晶胞中B原子填在P原子所围成的___________(填“立方体”“正四面体”或“正八面体”)空隙中；若该晶体的密度为，是阿伏伽德罗常数的值。BP晶胞中面心上6个P原子相连构成正八面体，该正八面体的边长为___________(列式即可)。

8 . 有机反应一般速率较小，副反应多，产物复杂。
(1)常见的有机反应装置示意图，如下所示：

①实验室用乙醇制乙烯，应选择装置_________（填上图装置序号）。
②装置C可以做1-溴丙烷的水解反应实验，该反应的化学方程式为______________。
③实验室可用装置D制溴苯，下列有关说法不正确的是_________（填字母）。
a．圆底烧瓶中所装试剂为苯和浓溴水
b．冷凝管的作用是导气和冷凝回流，可以提高原料利用率
c．停止反应后，可直接通过分液将溴苯与苯分离
④写出上述①~③实验中消去反应的化学方程式：________________。
(2)检验反应的产物是判断有机反应类型的主要方法。下面是关于1-溴丙烷的实验及产物检验。
步骤I：向试管中加入少量1-溴丙烷，再加入溶液，充分振荡，观察到溶液分为两层。
步骤Ⅱ：稍微加热一段时间后，冷却，静置，待液体分层后，用滴管吸取少量上层液体，移入另一支盛有试剂a的试管中，然后滴加2滴的溶液。
步骤Ⅲ：将下层液体取出，分离主要得到两种物质。经核磁共报氢谱验证，物质1分子中含有四种不同化学环境的H原子，其个数比为，物质2分子中含有三种不同化学环境的H原子，其个数比为。
①步骤I中，1-溴丙烷主要存在于溶液的_________层（填“上”或“下”）。
②步骤Ⅱ中，试剂a为_________，加入溶液后观察到的现象为__________________。
Ⅲ③写出步骤中物质2的结构简式：__________________。
④综合分析上述实验，实验中发生了取代反应，判断的理由是__________________。

10 . W、X、Y、Z是元素周期表中的四种短周期元素，其相关信息及原子半径与原子序数的关系如表所示。请回答下列问题：

元素	相关信息	原子半径与原子序数的关系
W	其一种核素的质量数为18，中子数为10
X	其原子与电子排布式为1s22s22p6的原子的核外电子数相差1
Y	其单质是一种常见的半导体材料
Z	电负性在同周期元素中最大

(1)W与X形成的含有共价键的常见化合物的电子式为_______。
(2)Y的价层电子排布式_______。
(3)Z的简单氢化物沸点比同主族上一周期元素简单氢化物沸点要_______(填“高”或“低”)
(4)CuS晶胞中的位置如图1所示，位于顶点和面心，位于所构成的四面体中心，晶胞侧视图如图2所示。

   

①与距离最近的数目为_______。
② CuS的晶胞参数为apm，阿伏加德罗常数的值为，则CuS晶体的密度为_______。